AI 摘要
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Marvell 在 ECOC 2026 展出业界首批用于 AI 数据中心的 2nm 光学技术。
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发布涵盖 400G/lane PAM4、800G ZR+ 及 1.6T ZR 等核心光互连成果。
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2nm 工艺旨在降低功耗并提升带宽密度，以支持 3.2T 及以上架构扩展。
本摘要由 AI 辅助整理，请以正文内容为准。
数智朋克讯 当地时间 9 月 20 日，Marvell（美满）在 ECOC 2026 欧洲光通信大会上，展出了业界首批用于 AI 数据中心基础设施的 2nm 光学技术。此次发布标志着 2nm 工艺正式应用于 AI 数据中心的光学互连领域。
在此次展会上，Marvell 集中展示了多项核心 2nm 光学技术：
功能亮点
400G/lane 光学 PAM4 技术：
首个基于 2nm 工艺的单通道 400G 技术，提升单通道带宽能力。
800G ZR / ZR+ 现场演示：
首个集成 MACsec 链路层安全加密的 2nm 800G 传输演示，兼顾高速率与安全性。
1.6T ZR 与 O 波段演示：
首批 2nm 1.6T ZR 及相干轻量级 O 波段技术，展示长距传输和相干光通信的制程布局。
200G/lane CPO 技术：
面向下一代 AI Fabric 的 200G/lane 共封装光学技术，旨在降低功耗并提升带宽密度。
Marvell 指出，随着 AI 数据中心架构从 1.6T 向 3.2T 乃至更高规格扩展，运营方需要更快、功耗更低且更安全的光互连技术，以支持 AI 的纵向、横向和跨域扩展。2nm 工艺在光通信领域的落地，正推动互连技术向更高带宽密度和更低功耗的先进制程演进，以应对 3.2T 及以上架构的扩展瓶颈。