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三星与SK海力士计划于2027年量产8Hi HBM4以响应英伟达需求。
英伟达将Rubin系列内存规格从12Hi调整为8Hi以优化良率与成本。
HGX Rubin NVL8系统总容量维持2TB,采用单颗32GB的8Hi堆栈。
本摘要由 AI 辅助整理,请以正文内容为准。
据韩媒ZDNET Korea报道,三星电子和SK海力士计划在2027年第二季度实现8层堆叠(8Hi)HBM4内存的全面量产,并向英伟达出货。目前,这两大存储原厂产出的HBM4主要为12层堆叠(12Hi)版本,此次量产计划的调整直接响应了英伟达对下一代GPU内存规格的变更需求。
01从12Hi转向8Hi的技术与商业考量
英伟达在2026年第三季度就8Hi HBM供应事宜与三星和SK海力士进行了讨论。推动这一规格变更的核心原因在于高堆叠层数带来的制造瓶颈。12Hi版本单一堆栈包含更多DRAM Die,不仅导致同等带宽成本更高、堆栈数量更少,且更高的堆叠层数意味着良率下降。
英伟达计划变更的主要考量是在Rubin Ultra和标准版Rubin中应用8Hi HBM4 (E),以优化整体供应。通过采用8Hi规格,英伟达旨在平衡带宽成本、良率与系统总容量需求。不过,基于当前媒体披露的技术逻辑与规格数据,实际量产良率与成本优化效果仍需待产品正式出货后验证。
02英伟达Rubin系统的规格适配
在具体的系统落地方面,英伟达已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8的规格调整为系统合计2TB HBM4。这一容量目标对应的是单颗容量为32GB的8Hi HBM4堆栈。通过采用单颗容量更大的8Hi 32GB堆栈,英伟达在维持系统总容量2TB不变的前提下,有效降低了高堆叠带来的良率风险和制造成本。
