数智朋克讯 据韩媒《首尔经济日报》8 月 28 日报道，三星电子正在为英伟达开发一款定制 HBM 内存产品。该方案采用 8 层低堆叠设计（8Hi），引脚速率支持 17~18Gbps，高于三星此前出样的 HBM4E（至高 16Gbps）。报道同时将该定制产品称为 HBM4E 与 NVHBM，表明其并非标准 HBM4E，而是面向英伟达的定制化方案，基础裸片设计存在差异。

8Hi 低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量并提升生产良率，从而压低制造成本并提升出货规模。17~18Gbps 的更高引脚速率则有助于缓解 AI 加速器的内存墙问题并提升实际吞吐量。低堆叠与高速率的组合，显示英伟达在 HBM4 世代更强调在可控成本与良率下提升内存带宽，而非单纯追求更高堆叠层数。

三星同时经营存储器与晶圆代工业务，拥有全流程定制 HBM 开发能力，在 Base Die 设计调整及与 DRAM Die 适配方面具有优势，这为其承接英伟达的定制化需求提供了能力基础。