AI 摘要
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01
三星打破全包模式，将采用台积电3nm工艺为英伟达生产定制HBM基底裸片。
02
英伟达强制统一基底与核心裸片工艺，以消除供应商性能差异并加速量产。
03
三星保留标准HBM一站式策略，并验证自有产线制造NVHBM基底作为防御预案。
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数智朋克讯 三星电子已接受英伟达的要求，决定打破原有的HBM一站式全包制造模式，首次引入台积电的工艺，采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存（NVHBM）的基底裸片。
01英伟达推动HBM制造工艺标准化
英伟达于8月发布了基于第七代HBM4E架构的定制版NVHBM，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。由于各家HBM供应商此前的制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，英伟达强制统一基底裸片与核心裸片的制造工艺。此举意在消除不同供应商之间的性能差异，从而减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量，加速下一代定制HBM的验证与量产进度。根据要求，核心裸片将统一采用第六代DRAM（1c）工艺。
02三星的防御性预案与市场独立性
在妥协接受英伟达定制HBM标准化要求的同时，三星并未全面放弃自有代工能力。对于标准HBM产品及面向AMD等其他客户的定制HBM，三星仍保留一站式全包生产策略，其基底裸片采用三星自研4纳米工艺，核心裸片采用1c工艺。此外，为防止需求超出台积电产能上限，三星目前正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，以此作为防御性预案，维持其在HBM市场的独立性与产能安全。