AI 摘要
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01
台积电否认应英伟达要求研发3D DRAM的传闻。
02
公司重申专注逻辑集成电路代工核心业务。
03
缺乏DRAM专业知识且面临市场与反垄断风险。
04
通过SoIC技术与DRAM厂商合作参与先进内存市场。
本摘要由 AI 辅助整理，请以正文内容为准。
数智朋克讯 针对近日关于其应英伟达要求研发3D DRAM内存的传闻，台积电已予以否认。台积电发言人明确表示，公司始终专注于专业集成电路代工这一核心业务，致力于成为全球逻辑集成电路产业的技术与产能供应商。
此前有媒体报道称，随着AI硬件需求激增导致DRAM供应紧张，台积电正研究开发3D DRAM的可能性，且该计划由负责先进封装的台积电副总裁徐国晋监督。对此，台积电向媒体澄清了该报道，明确了当前的战略边界。
01不直接进军DRAM制造的深层逻辑
台积电不直接进军DRAM制造有其深层的产业逻辑。在技术层面，台积电目前缺乏DRAM制造的专业知识和产能，且3D DRAM技术距离真正量产仍有数年，短期内无法缓解内存短缺。在商业层面，即使通过收购小型内存厂商入局，也需投入数十亿美元，并面临内存市场周期性波动带来的供过于求风险。此外，若将逻辑芯片制造、先进封装与内存生产结合形成垂直整合体系，可能引发反垄断审查，被质疑对缺乏类似能力的竞争对手形成不公平优势。
02通过现有商业模式参与先进内存市场
在不直接生产DRAM的情况下，台积电正通过现有商业模式参与先进内存市场。公司可为HBM制造逻辑基底芯片，利用SoIC混合键合技术集成内存与处理器，并与成熟的DRAM制造商合作开发定制方案，以此分享先进内存市场的红利。